X-ray diffraction and photoluminescence studies of zinc oxide films grown on silicon substrates by dc reactive magnetron sputtering
Por:
Juárez-Díaz G., Solache-Carranco H., Romero-Paredes, G, Pena-Sierra, R, Martínez-Juárez J., Galeazzi R., Esparza-García A., Briseno-Garcia, M, Henao J.A.
Publicada:
1 ene 2008
Resumen:
Thin polycrystalline ZnO films were grown on silicon substrates by dc reactive magnetron sputtering using zinc oxide targets. The quality of the ZnO layers was assessed by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy, Raman scattering, and photoluminescence measurements. The XRD studies and Raman studies revealed that the ZnO films crystallize in the wurtzite structure. Room temperature photoluminescence spectra consisted of a narrow near-band-edge ultraviolet band and a broad defect-related green band with peak positions at 380 and 516 nm, respectively. The main goal of the work was to define the growth conditions to prepare zinc oxide films with adequate properties to be used in electroluminescent devices. The films exhibited the best surface appearance with a 40:1 argonoxygen flow rate, a total pressure of 1.5× 10-3 mbar, and a substrate temperature of 230 °C. The structural and luminescence properties improved noticeably with the thermal annealing processes at 800 °C for 1 h. © 2008 International Centre for Diffraction Data.
Filiaciones:
Juárez-Díaz G.:
Depto. de Ingeniería Eléctrica, Sección de Electrónica del Estado Sólido (SEES), Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del Instituto Politecnico Nacional (CINVESTAV-IPN), Apartado Postal 14-740, 07000 Ciudad de México, Distrito Federal, Mexico
Solache-Carranco H.:
Depto. de Ingeniería Eléctrica, Sección de Electrónica del Estado Sólido (SEES), Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del Instituto Politecnico Nacional (CINVESTAV-IPN), Apartado Postal 14-740, 07000 Ciudad de México, Distrito Federal, Mexico
Martínez-Juárez J.:
Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Ciudad Universitaria, 14 Sur y Av. San Claudio, 72570 Puebla, Puebla, Mexico
Galeazzi R.:
Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Ciudad Universitaria, 14 Sur y Av. San Claudio, 72570 Puebla, Puebla, Mexico
Esparza-García A.:
Univ Nacl Autonoma Mexico, Ctr Ciencias Aplicadas & Desarrollo Tecnol, Mexico City 04510, DF, Mexico
Henao J.A.:
Grupo de Investigación en Química Estructural (GIQUE), Escuela de Química, Universidad Industrial, de Santander (UIS), Apartado Áreo 678, Bucaramanga, Colombia
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