Bright, crack-free InGaN/GaN light emitters on Si(111)
Por:
Dadgar A., Poschenrieder M., Contreras O., Christen J., Fehse K., Bläsing J., Diez A., Schulze F., Riemann T., Ponce F.A., Krost A.
Publicada:
1 ene 2002
Resumen:
Crack-free, up to 2.8 ?m thick GaN-based light emitting diodes were grown by metalorganic chemical vapor deposition on 2-inch Si(111) substrates. Elimination of cracks was achieved by using two ?12 nm thick low-temperature AlN:Si interlayers for stress reduction. A significant enhancement in optical output power was obtained by an in situ insertion of a SixNy mask. Transmission electron microscopy measurements showed a tenfold reduction in dislocation density to ?109 cm-2 by the low-temperature AlN and SixNy interlayers, resulting in a significant increase in luminescence intensity. Vertically contacted diodes showed a light output power of 152 ?W at a current of 20 mA and a wavelength of 455 nm. Turn-on voltages around 2.8 V and series resistances of 55 ? were obtained.
Filiaciones:
Dadgar A.:
Otto-von Guericke Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Fakultät für Naturwissenschaften, Postfach 4120, 39016 Magdeburg, Germany
Poschenrieder M.:
Otto-von Guericke Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Fakultät für Naturwissenschaften, Postfach 4120, 39016 Magdeburg, Germany
Contreras O.:
Department of Physics and Astronomy, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, United States
Christen J.:
Otto-von Guericke Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Fakultät für Naturwissenschaften, Postfach 4120, 39016 Magdeburg, Germany
Fehse K.:
Otto-von Guericke Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Fakultät für Naturwissenschaften, Postfach 4120, 39016 Magdeburg, Germany
Bläsing J.:
Otto-von Guericke Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Fakultät für Naturwissenschaften, Postfach 4120, 39016 Magdeburg, Germany
Diez A.:
Otto-von Guericke Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Fakultät für Naturwissenschaften, Postfach 4120, 39016 Magdeburg, Germany
Schulze F.:
Otto-von Guericke Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Fakultät für Naturwissenschaften, Postfach 4120, 39016 Magdeburg, Germany
Riemann T.:
Otto-von Guericke Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Fakultät für Naturwissenschaften, Postfach 4120, 39016 Magdeburg, Germany
Ponce F.A.:
Department of Physics and Astronomy, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, United States
Krost A.:
Otto-von Guericke Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Fakultät für Naturwissenschaften, Postfach 4120, 39016 Magdeburg, Germany
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